Crecimiento de nanoestructuras 1D de silicio y carbono por CVD catalítico nanohilos de SiOx, nanocables SiC/SiOx, nanotubos de carbono

  1. López-Camacho Colmenarejo, Elena
Zuzendaria:
  1. Cristina Gómez-Aleixandre Fernández Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 2008(e)ko ekaina-(a)k 05

Epaimahaia:
  1. Inmaculada Rodríguez Ramos Presidentea
  2. Eduardo Elizalde Pérez-Grueso Idazkaria
  3. José Luis Andújar Bella Kidea
  4. Angel Roberto Landa Cánovas Kidea
  5. Josephus Gerardus Buijnsters Kidea

Mota: Tesia

Laburpena

Se han estudiado los mecanismos de crecimiento de diferentes tipos de nanoestructuras 1D por CVD catalítico. Uno de los aspectos más relevantes es el papel fundamental que ejerce la etapa previa de preparación del catalizador en el crecimiento posterior de las nanoestructuras. En particular, los diferentes procesos (difusión, oxidación, etc.) que tienen lugar en el conjunto catalizador/substrato (Ni/Si) durante el calentamiento hasta la temperatura de crecimiento, influyen en la naturaleza y densidad de nanoestructuras formadas. El trabajo se ha centrado principalmente en el estudio de los mecanismos de crecimiento de las nanoestructuras a partir de las especies reactivas presentes en el medio. Así, a partir de un único sistema (Ni/Si), se han obtenido diferentes tipos de nanoestructuras (nanohilos de SiOx, nanocables -SiC/SiOx, nanotubos de carbono o nanotubos de carbono amorfo con un núcleo cristalino -SiC), variando los parámetros experimentales (presión y naturaleza de la atmósfera, temperatura y composición de la mezcla gaseosa). La complejidad asociada a los procesos de crecimiento de estas estructuras, requiere un estudio minucioso y exhaustivo del sistema como el que se ha desarrollado en este trabajo.