Crecimiento de nanoestructuras 1D de silicio y carbono por CVD catalítico nanohilos de SiOx, nanocables SiC/SiOx, nanotubos de carbono

  1. López-Camacho Colmenarejo, Elena
Dirixida por:
  1. Cristina Gómez-Aleixandre Fernández Director

Universidade de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 05 de xuño de 2008

Tribunal:
  1. Inmaculada Rodríguez Ramos Presidente/a
  2. Eduardo Elizalde Pérez-Grueso Secretario/a
  3. José Luis Andújar Bella Vogal
  4. Angel Roberto Landa Cánovas Vogal
  5. Josephus Gerardus Buijnsters Vogal

Tipo: Tese

Resumo

Se han estudiado los mecanismos de crecimiento de diferentes tipos de nanoestructuras 1D por CVD catalítico. Uno de los aspectos más relevantes es el papel fundamental que ejerce la etapa previa de preparación del catalizador en el crecimiento posterior de las nanoestructuras. En particular, los diferentes procesos (difusión, oxidación, etc.) que tienen lugar en el conjunto catalizador/substrato (Ni/Si) durante el calentamiento hasta la temperatura de crecimiento, influyen en la naturaleza y densidad de nanoestructuras formadas. El trabajo se ha centrado principalmente en el estudio de los mecanismos de crecimiento de las nanoestructuras a partir de las especies reactivas presentes en el medio. Así, a partir de un único sistema (Ni/Si), se han obtenido diferentes tipos de nanoestructuras (nanohilos de SiOx, nanocables -SiC/SiOx, nanotubos de carbono o nanotubos de carbono amorfo con un núcleo cristalino -SiC), variando los parámetros experimentales (presión y naturaleza de la atmósfera, temperatura y composición de la mezcla gaseosa). La complejidad asociada a los procesos de crecimiento de estas estructuras, requiere un estudio minucioso y exhaustivo del sistema como el que se ha desarrollado en este trabajo.