Crecimiento de nanoestructuras 1D de silicio y carbono por CVD catalítico nanohilos de SiOx, nanocables SiC/SiOx, nanotubos de carbono

  1. López-Camacho Colmenarejo, Elena
Dirigée par:
  1. Cristina Gómez-Aleixandre Fernández Directeur/trice

Université de défendre: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 05 juin 2008

Jury:
  1. Inmaculada Rodríguez Ramos President
  2. Eduardo Elizalde Pérez-Grueso Secrétaire
  3. José Luis Andújar Bella Rapporteur
  4. Angel Roberto Landa Cánovas Rapporteur
  5. Josephus Gerardus Buijnsters Rapporteur

Type: Thèses

Résumé

Se han estudiado los mecanismos de crecimiento de diferentes tipos de nanoestructuras 1D por CVD catalítico. Uno de los aspectos más relevantes es el papel fundamental que ejerce la etapa previa de preparación del catalizador en el crecimiento posterior de las nanoestructuras. En particular, los diferentes procesos (difusión, oxidación, etc.) que tienen lugar en el conjunto catalizador/substrato (Ni/Si) durante el calentamiento hasta la temperatura de crecimiento, influyen en la naturaleza y densidad de nanoestructuras formadas. El trabajo se ha centrado principalmente en el estudio de los mecanismos de crecimiento de las nanoestructuras a partir de las especies reactivas presentes en el medio. Así, a partir de un único sistema (Ni/Si), se han obtenido diferentes tipos de nanoestructuras (nanohilos de SiOx, nanocables -SiC/SiOx, nanotubos de carbono o nanotubos de carbono amorfo con un núcleo cristalino -SiC), variando los parámetros experimentales (presión y naturaleza de la atmósfera, temperatura y composición de la mezcla gaseosa). La complejidad asociada a los procesos de crecimiento de estas estructuras, requiere un estudio minucioso y exhaustivo del sistema como el que se ha desarrollado en este trabajo.