Preparación y caracterización del esquema de metalización al silicio TiSi2/TiN

  1. Pérez Rigueiro, José
Dirigida por:
  1. José Manuel Martínez Duart Director/a
  2. Carmen Jiménez Director/a

Universidad de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 13 de diciembre de 1995

Tribunal:
  1. José María Sanz Presidente/a
  2. Fernando Flores Sintas Secretario/a
  3. Carmen Nieves Nieves Afonso Vocal
  4. José María Albella Martín Vocal
  5. Germán González Díaz Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 56102 DIALNET

Resumen

El objetivo del trabajo ha sido la obtencion del esquema de metalizacion si/tisi2/tin mediante tratamientos termicos rapidos.Con este objetivo se ha estudiado el proceso basico de formacion del siliciuro a partir del sistema ti/si. Las contribuciones mas originales a esta parte han sido las medidas electricas a baja temperatura y el uso de la microscopia electronica de transmision de alta resolucion para estudiar la pelicula de siliciuro y la intercara silicio/siliciuro. Para la obtencion del esquema si/tisi2/tin se han propuesto tres procesos: Nitruracion del siliciuro de titanio y sistema si/tinx/ti, comprobandose que con todos ellos se alcanza la estructura final buscada.