A comparative study of the electrical properties of TiO<sub>2</sub>films grown by high-pressure reactive sputtering and atomic layer deposition

  1. Dueñas, S
  2. Castán, H
  3. García, H
  4. San Andrés Serrano, Enrique 1
  5. Toledano-Luque, M
  6. Mártil de la Plaza, Ignacio 1
  7. González-Díaz, Germán 1
  8. Kukli, K
  9. Uustare, T
  10. Aarik, J
  1. 1 Universidad Complutense de Madrid
    info

    Universidad Complutense de Madrid

    Madrid, España

    ROR 02p0gd045

Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Año de publicación: 2005

Volumen: 20

Número: 10

Páginas: 1044-1051

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/20/10/011 GOOGLE SCHOLAR

Otras publicaciones en: Semiconductor Science and Technology

Referencias bibliográficas

  • 10.1016/0038-1101(78)90308-8
  • Fuyuki T, (1986), J. Appl. Phys., 25, pp. 1288, 10.1143/JJAP.25.1288
  • Rausch N, (1993), J. Electrochem. Soc., 140, pp. 145, 10.1149/1.2056076
  • 10.1116/1.589214
  • Campbell S A, (1999), IBM J. Res.Dev., 43, pp. 383, 10.1147/rd.433.0383
  • 10.1063/1.1361065
  • 10.1016/S0169-4332(00)00251-8
  • 10.1103/PhysRevLett.39.1490
  • 10.1016/S0169-4332(02)01130-3
  • 10.1063/1.350535
  • Ritala M, (2002), Handbook of Thin Film Materials vol 1: Deposition and Processing of Thin Film Materials, pp. 104
  • 10.1063/1.341067
  • Kern W, (1970), RCA Rev., 31, pp. 187
  • 10.1016/S0040-6090(97)00135-1
  • 10.1016/S0040-6090(00)00911-1
  • Sammelselg V, (2002), Mikrochim. Acta, 139, pp. 165, 10.1007/s006040200056
  • 10.1063/1.119658
  • 10.1016/S0026-2714(99)00325-X
  • 10.1063/1.1521802