Aplicación de la técnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GAAS/N-ALGAAS, N-GAAS/INGAAS y ALAS/INAS/GAAS para dispositivos HEMT

  1. Vázquez López, Manuel
Dirigida por:
  1. Fernando Briones Fernández-Pola Director/a

Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid

Año de defensa: 1992

Tribunal:
  1. José Luis Vicent López Presidente
  2. Claudio Aroca Hernández-Ros Secretario
  3. José Luis Castaño Palazón Vocal
  4. Germán González Díaz Vocal
  5. Dolores Golmayo Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 34169 DIALNET lock_openDocta Complutense editor

Resumen

En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electrónica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE, epitaxia por haces moleculares de capas atómicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidas de alta movilidad y por otro lado, en unas nuevas heteroestructuras de alta movilidad electrónica en las que los materiales constituyentes tienen diferente parámetro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convencionales. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electrónica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas.