Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces

  1. Méndez Martín, María Bianchi
Dirigida por:
  1. Francisco Javier Piqueras de Noriega Director

Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid

Año de defensa: 1991

Tribunal:
  1. Luis Bru Presidente/a
  2. Nieves de Diego Otero Secretaria
  3. Tomas Rodríguez Rodriguez Vocal
  4. Ángel Remón Sancho Vocal
  5. Luis González Soto Vocal

Tipo: Tesis

Resumen

Los estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.