Contribución al estudio de la oxidación térmica del silicio y su aplicación a la microelectrónica

  1. LORA TAMAYO D'OCON AMELIA
Dirigida per:
  1. Enrique Dominguez Ferrari Director/a

Universitat de defensa: Universidad Complutense de Madrid

Any de defensa: 1983

Tribunal:
  1. Maximino Rodríguez Vidal President/a
  2. Antonio Hernández Cachero Secretari
  3. Antonio Luque López Vocal
  4. Pedro Cartujo Estebanez Vocal
  5. Elías Muñoz Merino Vocal

Tipus: Tesi

Teseo: 8365 DIALNET

Resum

En el trabajo se realiza un estudio de los fenómenos físicos en el proceso de oxidación térmica del silicio tanto de los que se observan durante el crecimiento de la capa de óxido como de los que se verifican en la interfase si-sio2; aspectos estos de gran interés actual por su aplicación en la producción de circuitos integrados en microelectrónica en el orden más alto de integración (V.L.S.I.) el estudio fundamentalmente experimental comprende interpretaciones originales de los resultados detenidos y ha exigido el montaje y familiarización con técnicas y métodos de medida de gran importancia actual tales como CVHF, CVBF, TSIC, TVS. Es de destacar también el diseño y construcción de un elipsómetro pilotado por ordenador así como el desarrollo del software necesario para la explotación automática de todas las medidas experimentales.