Contribución al estudio de la oxidación térmica del silicio y su aplicación a la microelectrónica

  1. LORA TAMAYO D'OCON AMELIA
unter der Leitung von:
  1. Enrique Dominguez Ferrari Doktorvater/Doktormutter

Universität der Verteidigung: Universidad Complutense de Madrid

Jahr der Verteidigung: 1983

Gericht:
  1. Maximino Rodríguez Vidal Präsident/in
  2. Antonio Hernández Cachero Sekretär
  3. Antonio Luque López Vocal
  4. Pedro Cartujo Estebanez Vocal
  5. Elías Muñoz Merino Vocal

Art: Dissertation

Teseo: 8365 DIALNET lock_openDocta Complutense editor

Zusammenfassung

En el trabajo se realiza un estudio de los fenómenos físicos en el proceso de oxidación térmica del silicio tanto de los que se observan durante el crecimiento de la capa de óxido como de los que se verifican en la interfase si-sio2; aspectos estos de gran interés actual por su aplicación en la producción de circuitos integrados en microelectrónica en el orden más alto de integración (V.L.S.I.) el estudio fundamentalmente experimental comprende interpretaciones originales de los resultados detenidos y ha exigido el montaje y familiarización con técnicas y métodos de medida de gran importancia actual tales como CVHF, CVBF, TSIC, TVS. Es de destacar también el diseño y construcción de un elipsómetro pilotado por ordenador así como el desarrollo del software necesario para la explotación automática de todas las medidas experimentales.