Contribución al estudio de la oxidación térmica del silicio y su aplicación a la microelectrónica

  1. LORA TAMAYO D'OCON AMELIA
Supervised by:
  1. Enrique Dominguez Ferrari Director

Defence university: Universidad Complutense de Madrid

Year of defence: 1983

Committee:
  1. Maximino Rodríguez Vidal Chair
  2. Antonio Hernández Cachero Secretary
  3. Antonio Luque López Committee member
  4. Pedro Cartujo Estebanez Committee member
  5. Elías Muñoz Merino Committee member

Type: Thesis

Teseo: 8365 DIALNET lock_openDocta Complutense editor

Abstract

En el trabajo se realiza un estudio de los fenómenos físicos en el proceso de oxidación térmica del silicio tanto de los que se observan durante el crecimiento de la capa de óxido como de los que se verifican en la interfase si-sio2; aspectos estos de gran interés actual por su aplicación en la producción de circuitos integrados en microelectrónica en el orden más alto de integración (V.L.S.I.) el estudio fundamentalmente experimental comprende interpretaciones originales de los resultados detenidos y ha exigido el montaje y familiarización con técnicas y métodos de medida de gran importancia actual tales como CVHF, CVBF, TSIC, TVS. Es de destacar también el diseño y construcción de un elipsómetro pilotado por ordenador así como el desarrollo del software necesario para la explotación automática de todas las medidas experimentales.