Contribución al estudio de la oxidación térmica del silicio y su aplicación a la microelectrónica

Laburpena

En el trabajo se realiza un estudio de los fenómenos físicos en el proceso de oxidación térmica del silicio tanto de los que se observan durante el crecimiento de la capa de óxido como de los que se verifican en la interfase si-sio2; aspectos estos de gran interés actual por su aplicación en la producción de circuitos integrados en microelectrónica en el orden más alto de integración (V.L.S.I.) el estudio fundamentalmente experimental comprende interpretaciones originales de los resultados detenidos y ha exigido el montaje y familiarización con técnicas y métodos de medida de gran importancia actual tales como CVHF, CVBF, TSIC, TVS. Es de destacar también el diseño y construcción de un elipsómetro pilotado por ordenador así como el desarrollo del software necesario para la explotación automática de todas las medidas experimentales.