Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo N en telururo de cadmio y mercurio (MCT) mediante técnicas de implantación ionica y tratamientos térmicos rápidos (RTA)

  1. LOPEZ RUBIO JOSE ANGEL
Dirigida per:
  1. Jesus Sangrador Garcia Director/a

Universitat de defensa: Universidad Politécnica de Madrid

Any de defensa: 1995

Tribunal:
  1. José María Ruiz Pérez President/a
  2. Fernando González Sanz Secretari/ària
  3. Ernesto Diéguez Vocal
  4. Germán González Díaz Vocal
  5. Carlos Algora del Valle Vocal

Tipus: Tesi

Teseo: 50639 DIALNET

Resum

Esta tesis doctoral trata del desarrollo de una tecnología de dopado tipo N sobre cristales tipo P de HGL-xcdte (telururo de cadmio y mercurio) mediante el uso de técnicas de implantación ionica y recocidos térmicos rápidos. En primer lugar, se ha realizado un estudio de los efectos de los recocidos RTA sobre las propiedades eléctricas de los substratos de partida sin implantar. Seguidamente se ha caracterizado el efecto de los ciclos RTA sobre capas implantadas de in y b. Se ha desarrollado un proceso RTA postimplantacion que elimina el daño de implantación y permite la activación eléctrica de las especies implantados.