Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo N en telururo de cadmio y mercurio (MCT) mediante técnicas de implantación ionica y tratamientos térmicos rápidos (RTA)
- LOPEZ RUBIO JOSE ANGEL
- Jesus Sangrador Garcia Doktorvater/Doktormutter
Universität der Verteidigung: Universidad Politécnica de Madrid
Jahr der Verteidigung: 1995
- José María Ruiz Pérez Präsident/in
- Fernando González Sanz Sekretär/in
- Ernesto Diéguez Vocal
- Germán González Díaz Vocal
- Carlos Algora del Valle Vocal
Art: Dissertation
Zusammenfassung
Esta tesis doctoral trata del desarrollo de una tecnología de dopado tipo N sobre cristales tipo P de HGL-xcdte (telururo de cadmio y mercurio) mediante el uso de técnicas de implantación ionica y recocidos térmicos rápidos. En primer lugar, se ha realizado un estudio de los efectos de los recocidos RTA sobre las propiedades eléctricas de los substratos de partida sin implantar. Seguidamente se ha caracterizado el efecto de los ciclos RTA sobre capas implantadas de in y b. Se ha desarrollado un proceso RTA postimplantacion que elimina el daño de implantación y permite la activación eléctrica de las especies implantados.