Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo N en telururo de cadmio y mercurio (MCT) mediante técnicas de implantación ionica y tratamientos térmicos rápidos (RTA)

  1. LOPEZ RUBIO JOSE ANGEL
Supervised by:
  1. Jesus Sangrador Garcia Director

Defence university: Universidad Politécnica de Madrid

Year of defence: 1995

Committee:
  1. José María Ruiz Pérez Chair
  2. Fernando González Sanz Secretary
  3. Ernesto Diéguez Committee member
  4. Germán González Díaz Committee member
  5. Carlos Algora del Valle Committee member

Type: Thesis

Teseo: 50639 DIALNET

Abstract

Esta tesis doctoral trata del desarrollo de una tecnología de dopado tipo N sobre cristales tipo P de HGL-xcdte (telururo de cadmio y mercurio) mediante el uso de técnicas de implantación ionica y recocidos térmicos rápidos. En primer lugar, se ha realizado un estudio de los efectos de los recocidos RTA sobre las propiedades eléctricas de los substratos de partida sin implantar. Seguidamente se ha caracterizado el efecto de los ciclos RTA sobre capas implantadas de in y b. Se ha desarrollado un proceso RTA postimplantacion que elimina el daño de implantación y permite la activación eléctrica de las especies implantados.