Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo N en telururo de cadmio y mercurio (MCT) mediante técnicas de implantación ionica y tratamientos térmicos rápidos (RTA)

  1. LOPEZ RUBIO JOSE ANGEL
Dirigée par:
  1. Jesus Sangrador Garcia Directeur/trice

Université de défendre: Universidad Politécnica de Madrid

Année de défendre: 1995

Jury:
  1. José María Ruiz Pérez President
  2. Fernando González Sanz Secrétaire
  3. Ernesto Diéguez Rapporteur
  4. Germán González Díaz Rapporteur
  5. Carlos Algora del Valle Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 50639 DIALNET

Résumé

Esta tesis doctoral trata del desarrollo de una tecnología de dopado tipo N sobre cristales tipo P de HGL-xcdte (telururo de cadmio y mercurio) mediante el uso de técnicas de implantación ionica y recocidos térmicos rápidos. En primer lugar, se ha realizado un estudio de los efectos de los recocidos RTA sobre las propiedades eléctricas de los substratos de partida sin implantar. Seguidamente se ha caracterizado el efecto de los ciclos RTA sobre capas implantadas de in y b. Se ha desarrollado un proceso RTA postimplantacion que elimina el daño de implantación y permite la activación eléctrica de las especies implantados.