Improvement of SiNx:H/InP gate structures for the fabrication of metal-insulator-semiconductor field-effect transistors

  1. Redondo, E.
  2. Mártil, I.
  3. González Díaz, G.
  4. Fernández, P.
  5. Cimas, R.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 2002

Volumen: 17

Número: 7

Páginas: 672-676

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/17/7/306 GOOGLE SCHOLAR
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