Study of growth hillocks in GaN:Si films by electron beam induced current imaging

  1. Herrera Zaldivar, M.
  2. Fernández, P.
  3. Piqueras, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2001

Volum: 90

Número: 2

Pàgines: 1058-1060

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1379773 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus