Failure mechanism of AlN nanocaps used to protect rare earth-implanted GaN during high temperature annealing

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2006

Volumen: 88

Número: 3

Páginas: 1-3

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.2162797 GOOGLE SCHOLAR
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