Raman and rutherford backscattering characterization of Ti implanted Si above Mott limit
- Olea, J.
- Pastor, D.
- Mártil, I.
- González-Díaz, G.
- Ibáñez, J.
- Cuscó, R.
- Artús, L.
ISSN: 0272-9172
ISBN: 9781605111834
Año de publicación: 2010
Volumen: 1210
Páginas: 93-98
Tipo: Aportación congreso