Electrical characterization of Al/SiNx:H/n and p-In0.53Ga0.47As structures by deep-level transient spectroscopy and conductance transient techniques

  1. Castán, H.
  2. Dueñas, S.
  3. Barbolla, J.
  4. Blanco, N.
  5. Mártil, I.
  6. González-Díaz, G.
Revista:
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

ISSN: 0021-4922

Año de publicación: 2001

Volumen: 40

Número: 7

Páginas: 4479-4484

Tipo: Artículo

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