Characterization of compous semicompuctors by optical emission and positron annhilation spectroscopy, zno y gate

  1. ZUBIAGA MONSALVE, ASIER
unter der Leitung von:
  1. José Ángel García Martínez Doktorvater/Doktormutter
  2. Fernando Plazaola Muguruza Co-Doktorvater/Doktormutter

Universität der Verteidigung: Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea

Fecha de defensa: 10 von November von 2006

Gericht:
  1. Miguel Ángel Pérez Jubindo Präsident/in
  2. Vicente Muñoz Sanjosé Sekretär/in
  3. Filip Tijo Misto Vocal
  4. María Carmen Martínez-Tomás Vocal
  5. Francisco Javier Piqueras de Noriega Vocal

Art: Dissertation

Teseo: 137175 DIALNET

Zusammenfassung

Para muchas aplicaciones de interés tecnológico (por ejemplo LEDs, láseres, sensores de radiación ..) es muy importante la calidad del material. En esta memoria se han estudiado dos compuestos semiconductores de gran importancia tecnológica: el ZnO y el GaTe. Para la caracterización de los mismos se han utilizado, fundamentalmente, dos técnicas espectroscópicas: la fotoluminiscencia y la aniquilación de positrones. El objetivo ha sido el análisis, identificación y adscripción de los defectos existentes y así abrir nuevas vías para la mejora de la calidad de los materiales y por tanto la mejora en sus potencialidades en aplicaciones de interés tecnológico.