Characterization of compous semicompuctors by optical emission and positron annhilation spectroscopy, zno y gate

Résumé

Para muchas aplicaciones de interés tecnológico (por ejemplo LEDs, láseres, sensores de radiación ..) es muy importante la calidad del material. En esta memoria se han estudiado dos compuestos semiconductores de gran importancia tecnológica: el ZnO y el GaTe. Para la caracterización de los mismos se han utilizado, fundamentalmente, dos técnicas espectroscópicas: la fotoluminiscencia y la aniquilación de positrones. El objetivo ha sido el análisis, identificación y adscripción de los defectos existentes y así abrir nuevas vías para la mejora de la calidad de los materiales y por tanto la mejora en sus potencialidades en aplicaciones de interés tecnológico.