Characterization of compous semicompuctors by optical emission and positron annhilation spectroscopy, zno y gate
- ZUBIAGA MONSALVE, ASIER
- José Ángel García Martínez Director
- Fernando Plazaola Muguruza Co-director
Universidade de defensa: Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea
Fecha de defensa: 10 de novembro de 2006
- Miguel Ángel Pérez Jubindo Presidente/a
- Vicente Muñoz Sanjosé Secretario/a
- Filip Tijo Misto Vogal
- María Carmen Martínez-Tomás Vogal
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Vogal
Tipo: Tese
Resumo
Para muchas aplicaciones de interés tecnológico (por ejemplo LEDs, láseres, sensores de radiación ..) es muy importante la calidad del material. En esta memoria se han estudiado dos compuestos semiconductores de gran importancia tecnológica: el ZnO y el GaTe. Para la caracterización de los mismos se han utilizado, fundamentalmente, dos técnicas espectroscópicas: la fotoluminiscencia y la aniquilación de positrones. El objetivo ha sido el análisis, identificación y adscripción de los defectos existentes y así abrir nuevas vías para la mejora de la calidad de los materiales y por tanto la mejora en sus potencialidades en aplicaciones de interés tecnológico.