Characterization of compous semicompuctors by optical emission and positron annhilation spectroscopy, zno y gate

  1. ZUBIAGA MONSALVE, ASIER
Supervised by:
  1. José Ángel García Martínez Director
  2. Fernando Plazaola Muguruza Co-director

Defence university: Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea

Fecha de defensa: 10 November 2006

Committee:
  1. Miguel Ángel Pérez Jubindo Chair
  2. Vicente Muñoz Sanjosé Secretary
  3. Filip Tijo Misto Committee member
  4. María Carmen Martínez-Tomás Committee member
  5. Francisco Javier Piqueras de Noriega Committee member

Type: Thesis

Teseo: 137175 DIALNET

Abstract

Para muchas aplicaciones de interés tecnológico (por ejemplo LEDs, láseres, sensores de radiación ..) es muy importante la calidad del material. En esta memoria se han estudiado dos compuestos semiconductores de gran importancia tecnológica: el ZnO y el GaTe. Para la caracterización de los mismos se han utilizado, fundamentalmente, dos técnicas espectroscópicas: la fotoluminiscencia y la aniquilación de positrones. El objetivo ha sido el análisis, identificación y adscripción de los defectos existentes y así abrir nuevas vías para la mejora de la calidad de los materiales y por tanto la mejora en sus potencialidades en aplicaciones de interés tecnológico.