Raman scattering study of undoped and As-doped GaN grown with different III/V ratios

  1. Ibá̃ez, J.
  2. Pastor, D.
  3. Alarcón-Lladó, E.
  4. Cuscó, R.
  5. Artús, L.
  6. Novikov, S.V.
  7. Foxon, C.T.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Any de publicació: 2007

Volum: 22

Número: 10

Pàgines: 1145-1150

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/22/10/011 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus