Raman scattering study of undoped and As-doped GaN grown with different III/V ratios
- Ibá̃ez, J.
- Pastor, D.
- Alarcón-Lladó, E.
- Cuscó, R.
- Artús, L.
- Novikov, S.V.
- Foxon, C.T.
ISSN: 0268-1242, 1361-6641
Datum der Publikation: 2007
Ausgabe: 22
Nummer: 10
Seiten: 1145-1150
Art: Artikel