Estudio teórico de la quimisorción de átomos y moléculas sobre GaAs

  1. Rincón Carlavilla, Rafael
Dirigida por:
  1. Fernando Flores Sintas Director/a

Universidad de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 10 de julio de 1995

Tribunal:
  1. José Luis Sacedón Adelantado Presidente/a
  2. Fernando Sols Lucia Secretario
  3. Álvaro Martín Rodero Vocal
  4. Juan Rubio Bernal Vocal
  5. Alfonso Muñoz González Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 50405 DIALNET

Resumen

MEDIANTE UNA APROXIMACION LCAO (COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS) SE ANALIZAN DISTINTAS ESPECIES DE ADSORBATOS (A1, IN, H, C1, O, H2O, OH...) SOBRE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR GAAS, ARSENURO DE GALIO. LOS TERMINOS DE MUCHOS CUERPOS DEL HAMILTONIANO SE APROXIMAN LOCALMENTE EN UN ESQUEMA DE NUMEROS DE OCUPACION. LAS TRANSICIONES METAL-AISLANTE SE PUEDEN ESTUDIAR FACILMENTE EN ESTE METODO, ASI, LA DEPOSICION DE POTASIO SOBRE LA SUPERFICIE GAAS (100) ES ANALIZADA, OBTENIENDOSE UNA TRANSICION METALICA PARA UNA DEPOSICION DE 6-7 POTASIOS SOBRE LA CELDA UNIDAD.