Estudio teórico de la quimisorción de átomos y moléculas sobre GaAs

  1. Rincón Carlavilla, Rafael
Dirigée par:
  1. Fernando Flores Sintas Directeur/trice

Université de défendre: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 10 juillet 1995

Jury:
  1. José Luis Sacedón Adelantado President
  2. Fernando Sols Lucia Secrétaire
  3. Álvaro Martín Rodero Rapporteur
  4. Juan Rubio Bernal Rapporteur
  5. Alfonso Muñoz González Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 50405 DIALNET

Résumé

MEDIANTE UNA APROXIMACION LCAO (COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS) SE ANALIZAN DISTINTAS ESPECIES DE ADSORBATOS (A1, IN, H, C1, O, H2O, OH...) SOBRE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR GAAS, ARSENURO DE GALIO. LOS TERMINOS DE MUCHOS CUERPOS DEL HAMILTONIANO SE APROXIMAN LOCALMENTE EN UN ESQUEMA DE NUMEROS DE OCUPACION. LAS TRANSICIONES METAL-AISLANTE SE PUEDEN ESTUDIAR FACILMENTE EN ESTE METODO, ASI, LA DEPOSICION DE POTASIO SOBRE LA SUPERFICIE GAAS (100) ES ANALIZADA, OBTENIENDOSE UNA TRANSICION METALICA PARA UNA DEPOSICION DE 6-7 POTASIOS SOBRE LA CELDA UNIDAD.