Estudio teórico de la quimisorción de átomos y moléculas sobre GaAs

  1. Rincón Carlavilla, Rafael
Zuzendaria:
  1. Fernando Flores Sintas Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 1995(e)ko uztaila-(a)k 10

Epaimahaia:
  1. José Luis Sacedón Adelantado Presidentea
  2. Fernando Sols Lucia Idazkaria
  3. Álvaro Martín Rodero Kidea
  4. Juan Rubio Bernal Kidea
  5. Alfonso Muñoz González Kidea

Mota: Tesia

Teseo: 50405 DIALNET

Laburpena

MEDIANTE UNA APROXIMACION LCAO (COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS) SE ANALIZAN DISTINTAS ESPECIES DE ADSORBATOS (A1, IN, H, C1, O, H2O, OH...) SOBRE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR GAAS, ARSENURO DE GALIO. LOS TERMINOS DE MUCHOS CUERPOS DEL HAMILTONIANO SE APROXIMAN LOCALMENTE EN UN ESQUEMA DE NUMEROS DE OCUPACION. LAS TRANSICIONES METAL-AISLANTE SE PUEDEN ESTUDIAR FACILMENTE EN ESTE METODO, ASI, LA DEPOSICION DE POTASIO SOBRE LA SUPERFICIE GAAS (100) ES ANALIZADA, OBTENIENDOSE UNA TRANSICION METALICA PARA UNA DEPOSICION DE 6-7 POTASIOS SOBRE LA CELDA UNIDAD.