Estudio teórico de la quimisorción de átomos y moléculas sobre GaAs
- Rincón Carlavilla, Rafael
- Fernando Flores Sintas Director
Universidade de defensa: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 10 de xullo de 1995
- José Luis Sacedón Adelantado Presidente/a
- Fernando Sols Lucia Secretario
- Álvaro Martín Rodero Vogal
- Juan Rubio Bernal Vogal
- Alfonso Muñoz González Vogal
Tipo: Tese
Resumo
MEDIANTE UNA APROXIMACION LCAO (COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS) SE ANALIZAN DISTINTAS ESPECIES DE ADSORBATOS (A1, IN, H, C1, O, H2O, OH...) SOBRE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR GAAS, ARSENURO DE GALIO. LOS TERMINOS DE MUCHOS CUERPOS DEL HAMILTONIANO SE APROXIMAN LOCALMENTE EN UN ESQUEMA DE NUMEROS DE OCUPACION. LAS TRANSICIONES METAL-AISLANTE SE PUEDEN ESTUDIAR FACILMENTE EN ESTE METODO, ASI, LA DEPOSICION DE POTASIO SOBRE LA SUPERFICIE GAAS (100) ES ANALIZADA, OBTENIENDOSE UNA TRANSICION METALICA PARA UNA DEPOSICION DE 6-7 POTASIOS SOBRE LA CELDA UNIDAD.