Una aproximación al crecimiento epitaxial y a la caracterización de siliciuros semiconductores y metálicos
- Gallego Vázquez, José María
- Rodolfo Miranda Soriano Director
Defence university: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 12 July 1991
- Sebastian Vieira Chair
- José Manuel Martínez Duart Secretary
- Federico Soria Committee member
- Luis Vicent Jose Committee member
- Emilio Morán Miguélez Committee member
Type: Thesis
Abstract
Mediante técnicas de superficie (aes, leed, eels) se han analizado las interfases co/si y fe/si, así como la formación de los siliciuros de co e fe. Formados mediante la reacción de epitaxia de fase sólida. Asimismo, se ha logrado crecer siliciuros epitaxiales de co (cosi2, metálico) y fe ( -fesi2, semiconductor) sobre si(100), lo que abre camino a la posibilidad de crecer siliciuros ternarios (cox fe1-x si).