Una aproximación al crecimiento epitaxial y a la caracterización de siliciuros semiconductores y metálicos
- Gallego Vázquez, José María
- Rodolfo Miranda Soriano Director
Universidade de defensa: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 12 de xullo de 1991
- Sebastian Vieira Presidente/a
- José Manuel Martínez Duart Secretario/a
- Federico Soria Vogal
- Luis Vicent Jose Vogal
- Emilio Morán Miguélez Vogal
Tipo: Tese
Resumo
Mediante técnicas de superficie (aes, leed, eels) se han analizado las interfases co/si y fe/si, así como la formación de los siliciuros de co e fe. Formados mediante la reacción de epitaxia de fase sólida. Asimismo, se ha logrado crecer siliciuros epitaxiales de co (cosi2, metálico) y fe ( -fesi2, semiconductor) sobre si(100), lo que abre camino a la posibilidad de crecer siliciuros ternarios (cox fe1-x si).