Una aproximación al crecimiento epitaxial y a la caracterización de siliciuros semiconductores y metálicos
- Gallego Vázquez, José María
- Rodolfo Miranda Soriano Zuzendaria
Defentsa unibertsitatea: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 1991(e)ko uztaila-(a)k 12
- Sebastian Vieira Presidentea
- José Manuel Martínez Duart Idazkaria
- Federico Soria Kidea
- Luis Vicent Jose Kidea
- Emilio Morán Miguélez Kidea
Mota: Tesia
Laburpena
Mediante técnicas de superficie (aes, leed, eels) se han analizado las interfases co/si y fe/si, así como la formación de los siliciuros de co e fe. Formados mediante la reacción de epitaxia de fase sólida. Asimismo, se ha logrado crecer siliciuros epitaxiales de co (cosi2, metálico) y fe ( -fesi2, semiconductor) sobre si(100), lo que abre camino a la posibilidad de crecer siliciuros ternarios (cox fe1-x si).