Una aproximación al crecimiento epitaxial y a la caracterización de siliciuros semiconductores y metálicos

  1. Gallego Vázquez, José María
Dirigée par:
  1. Rodolfo Miranda Soriano Directeur/trice

Université de défendre: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 12 juillet 1991

Jury:
  1. Sebastian Vieira President
  2. José Manuel Martínez Duart Secrétaire
  3. Federico Soria Rapporteur
  4. Luis Vicent Jose Rapporteur
  5. Emilio Morán Miguélez Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 32167 DIALNET

Résumé

Mediante técnicas de superficie (aes, leed, eels) se han analizado las interfases co/si y fe/si, así como la formación de los siliciuros de co e fe. Formados mediante la reacción de epitaxia de fase sólida. Asimismo, se ha logrado crecer siliciuros epitaxiales de co (cosi2, metálico) y fe ( -fesi2, semiconductor) sobre si(100), lo que abre camino a la posibilidad de crecer siliciuros ternarios (cox fe1-x si).