Critical thickness for misfit dislocation formationin InAs/GaAs(110) heteroepitaxy

  1. Plans, I.
  2. Carpio, A.
  3. Bonilla, L.L.
  4. Caflisch, R.E.
Llibre:
Progress in industrial mathematics at ECMI 2006
  1. Bonilla, Luis

Editorial: Berlin; New York : Springer, 2008

ISBN: 978-3-540-71991-5,  978-3-540-71992-2

Any de publicació: 2008

Pàgines: 381-386

Congrés: ECMI conferences (14. 2006. Madrid)

Tipus: Aportació congrés

DIALNET GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Dialnet