Critical thickness for misfit dislocation formationin InAs/GaAs(110) heteroepitaxy

  1. Plans, I.
  2. Carpio, A.
  3. Bonilla, L.L.
  4. Caflisch, R.E.
Buch:
Progress in industrial mathematics at ECMI 2006
  1. Bonilla, Luis

Verlag: Berlin; New York : Springer, 2008

ISBN: 978-3-540-71991-5,  978-3-540-71992-2

Datum der Publikation: 2008

Seiten: 381-386

Kongress: ECMI conferences (14. 2006. Madrid)

Art: Konferenz-Beitrag

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Fuente de los datos: Dialnet