Critical thickness for misfit dislocation formationin InAs/GaAs(110) heteroepitaxy

  1. Plans, I.
  2. Carpio, A.
  3. Bonilla, L.L.
  4. Caflisch, R.E.
Liburua:
Progress in industrial mathematics at ECMI 2006
  1. Bonilla, Luis

Argitaletxea: Berlin; New York : Springer, 2008

ISBN: 978-3-540-71991-5,  978-3-540-71992-2

Argitalpen urtea: 2008

Orrialdeak: 381-386

Biltzarra: ECMI conferences (14. 2006. Madrid)

Mota: Biltzar ekarpena

DIALNET GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Dialnet