Critical thickness for misfit dislocation formationin InAs/GaAs(110) heteroepitaxy

  1. Plans, I.
  2. Carpio, A.
  3. Bonilla, L.L.
  4. Caflisch, R.E.
Livre:
Progress in industrial mathematics at ECMI 2006
  1. Bonilla, Luis

Éditorial: Berlin; New York : Springer, 2008

ISBN: 978-3-540-71991-5,  978-3-540-71992-2

Année de publication: 2008

Pages: 381-386

Congreso: ECMI conferences (14. 2006. Madrid)

Type: Communication dans un congrès

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