IGNACIO
MARTIL DE LA PLAZA
Catedrático de universidad
Dissertation
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Propiedades eléctricas de películas delgadas de CdS producidas por pulverización R.F. 1983
Universidad Complutense de Madrid
Dissertationen geleitet (7)
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Growth and characterization of high-k dielectrics for field effect devices 2008
Universidad Complutense de Madrid
TOLEDANO LUQUE, MARIA
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Depósito de películas de SiOxNyHz mediante la técnica ECR-PECVD, caracterización y estabilidad térmica 2004
Universidad Complutense de Madrid
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Fabricación y caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación como aislantes de puerta en dispositivos mis 2004
Universidad Complutense de Madrid
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Estudio de la estabilidad térmica del a-SiNx: H producido mediante la técnica de plasma ECR-CVD 2000
Universidad Complutense de Madrid
Martínez Viviente, Félix Lorenzo
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Láminas delgadas de SiNx: H y SiOx depositadas mediante la técnica ECR-CVD para su aplicación en estructura MIS 1996
Universidad Complutense de Madrid
García Sánchez, Silvia
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Dispositivos de heterounión basados en el semiconductor cuaternario cu (ga,in) se2 1994
Universidad Complutense de Madrid
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Preparación por descarga luminiscente y caracterización electroóptica de aleaciones de silicio amorfo para células solares 1991
Universidad Complutense de Madrid
CÁRABE LÓPEZ, JULIO
Gerichte für Dissertationen (20)
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Sekretär des Gerichts
Contactos con células de heterounión de silicio 2016Universidad Complutense de Madrid
CASADO BREGON, ALBERTO
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Präsident des Gerichts
Respuesta infrarroja en silicio mediante implantación iónica de metales en transición 2015Universidad Complutense de Madrid
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Vokal des Gerichts
Research on wide-bandgap intermediate band solar cells and development of experimental techniques for their characterization 2015Universidad Politécnica de Madrid
Ramiro González, Iñigo
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Vokal des Gerichts
Development of GaInP/GaInAs/Ge TRIPLE-junction solar cells for CPV applications 2014Universidad Politécnica de Madrid
Barrigón Montañés, Enrique
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Vokal des Gerichts
Caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en técnologías nanométricas 2011Universidad de Valladolid
Gómez Bravo, Alfonso
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Sekretär des Gerichts
Procesos de implantación iónica para semiconductores de banda intermedia 2010Universidad Complutense de Madrid
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Sekretär des Gerichts
Realización de transistores misfet sobre semiconductores compuestos del grupo III-V 2001Universidad Complutense de Madrid
Redondo Romero, Estefanía
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Vokal des Gerichts
Caracterizacion electrica de estructuras mis de nitruro de silicio crecido por ecr-cvd 2000Universidad de Valladolid
PELAEZ CARRANZA ROSA M.
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Sekretär des Gerichts
Investigación de fenómenos de turbulencia en el borde del plasma en dispositivos tokamak y stellarator 1999Universidad Complutense de Madrid
SANCHEZ GONZALEZ, EDILBERTO
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Sekretär des Gerichts
Realización y caracterización de dispositivos de unión y de efecto de campo en in0.53ga0.47as 1999Universidad Complutense de Madrid
BLANCO PESTAÑA, NIEVES
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Sekretär des Gerichts
Estudio experimental de turbulencia en el borde del plasma de dispositivos Tokamak 1998Universidad Complutense de Madrid
GARCIA CORTES, ISABEL
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Präsident des Gerichts
Caracterización óptica por espectro-goniometría automática 1997Universidad Complutense de Madrid
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Vokal des Gerichts
Estudio de aleaciones silicio-carbono depositadas mediante técnicas asistidas por plasma de resonancia ciclotron de electrones 1996Universidad Autónoma de Madrid
Gómez Arribas, Francisco Javier
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Sekretär des Gerichts
Análisis y modelos de los mecanismos de detección de gases contaminantes urbanos con sensores de estado sólido 1995Universidad Complutense de Madrid
Santos Blanco, José Pedro
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Sekretär des Gerichts
Implantación iónica en InP para aplicaciones en dispositivos 1995Universidad Complutense de Madrid
Martín, J. M.
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Sekretär des Gerichts
Crecimiento por epitaxia de haces químicos (cbe) de gaas a partir de tbas y de tega 1995Universidad Complutense de Madrid
AIT LHOUSS, MOHAMED
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Sekretär des Gerichts
Propiedades ópticas de láminas delgadas y cristalización de ge(1-x)sbx 1993Universidad Complutense de Madrid
POZO PAEZ JUAN MANUEL DEL
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Sekretär des Gerichts
Efectos de una cinética bidemensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares 1993Universidad Complutense de Madrid
Silveira Martín, Juan Pedro
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Sekretär des Gerichts
Desarrollo de células solares de GaAs de alto rendimiento crecida por epitaxia de fase líquida 1990Universidad Complutense de Madrid
ALGORA DEL VALLE CARLOS
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Sekretär des Gerichts
Heterouniones en película delgada de semiconductores compuestos producidos por pulverización rf 1988Universidad Complutense de Madrid