Effect of Er dopant in GaSb bulk crystals grown by vertical Bridgman technique

  1. Plaza, J.L.
  2. Hidalgo, P.
  3. Méndez, B.
  4. Piqueras, J.
  5. Castaño, J.L.
  6. Diéguez, E.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Any de publicació: 1999

Volum: 198-199

Número: PART I

Pàgines: 379-383

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01100-2 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus