Effect of Er dopant in GaSb bulk crystals grown by vertical Bridgman technique

  1. Plaza, J.L.
  2. Hidalgo, P.
  3. Méndez, B.
  4. Piqueras, J.
  5. Castaño, J.L.
  6. Diéguez, E.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Ano de publicación: 1999

Volume: 198-199

Número: PART I

Páxinas: 379-383

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01100-2 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus