Effect of Er dopant in GaSb bulk crystals grown by vertical Bridgman technique

  1. Plaza, J.L.
  2. Hidalgo, P.
  3. Méndez, B.
  4. Piqueras, J.
  5. Castaño, J.L.
  6. Diéguez, E.
Aldizkaria:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Argitalpen urtea: 1999

Alea: 198-199

Zenbakia: PART I

Orrialdeak: 379-383

Mota: Artikulua

DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01100-2 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus