Effect of Er dopant in GaSb bulk crystals grown by vertical Bridgman technique

  1. Plaza, J.L.
  2. Hidalgo, P.
  3. Méndez, B.
  4. Piqueras, J.
  5. Castaño, J.L.
  6. Diéguez, E.
Zeitschrift:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 198-199

Nummer: PART I

Seiten: 379-383

Art: Artikel

DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01100-2 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus