Doping β-Ga2O3 with europium: Influence of the implantation and annealing temperature

  1. Peres, M.
  2. Lorenz, K.
  3. Alves, E.
  4. Nogales, E.
  5. Méndez, B.
  6. Biquard, X.
  7. Daudin, B.
  8. Víllora, E.G.
  9. Shimamura, K.
Revista:
Journal of Physics D: Applied Physics

ISSN: 1361-6463,  0022-3727

Any de publicació: 2017

Volum: 50

Número: 32

Tipus: Article

DOI: 10.1088/1361-6463/AA79DC GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus