Doping β-Ga2O3 with europium: Influence of the implantation and annealing temperature

  1. Peres, M.
  2. Lorenz, K.
  3. Alves, E.
  4. Nogales, E.
  5. Méndez, B.
  6. Biquard, X.
  7. Daudin, B.
  8. Víllora, E.G.
  9. Shimamura, K.
Revista:
Journal of Physics D: Applied Physics

ISSN: 1361-6463,  0022-3727

Ano de publicación: 2017

Volume: 50

Número: 32

Tipo: Artigo

DOI: 10.1088/1361-6463/AA79DC GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus