Lattice order in thulium-doped GaN epilayers: In situ doping versus ion implantation

  1. Hernández, S.
  2. Cuscó, R.
  3. Artús, L.
  4. Nogales, E.
  5. Martin, R.W.
  6. O'Donnell, K.P.
  7. Halambalakis, G.
  8. Briot, O.
  9. Lorenz, K.
  10. Alves, E.
Revista:
Optical Materials

ISSN: 0925-3467

Any de publicació: 2006

Volum: 28

Número: 6-7

Pàgines: 771-774

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1016/J.OPTMAT.2005.09.021 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus