Lattice order in thulium-doped GaN epilayers: In situ doping versus ion implantation

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Revista:
Optical Materials

ISSN: 0925-3467

Ano de publicación: 2006

Volume: 28

Número: 6-7

Páxinas: 771-774

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1016/J.OPTMAT.2005.09.021 GOOGLE SCHOLAR
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