Lattice order in thulium-doped GaN epilayers: In situ doping versus ion implantation

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Zeitschrift:
Optical Materials

ISSN: 0925-3467

Datum der Publikation: 2006

Ausgabe: 28

Nummer: 6-7

Seiten: 771-774

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/J.OPTMAT.2005.09.021 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus