Rapid thermal annealing effects on the structural properties and density of defects in SiO2 and SiNx: H films deposited by electron cyclotron resonance

  1. San Andrés, E.
  2. Del Prado, A.
  3. Martínez, F.L.
  4. Mártil, I.
  5. Bravo, D.
  6. López, F.J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2000

Volum: 87

Número: 3

Pàgines: 1187-1192

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.371996 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus