Rapid thermal annealing effects on the structural properties and density of defects in SiO2 and SiNx: H films deposited by electron cyclotron resonance

  1. San Andrés, E.
  2. Del Prado, A.
  3. Martínez, F.L.
  4. Mártil, I.
  5. Bravo, D.
  6. López, F.J.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 2000

Alea: 87

Zenbakia: 3

Orrialdeak: 1187-1192

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.371996 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus